Universidad del Bío-Bío. Escuela de Pedagogía en Ciencias Naturales (Chile)
A través de un método de deposición fotoquímica, se depositaron capas de
complejos metálicos β-dicetonatos de Ga(acac)3 dopada con Dy(acac)3 y co-dopada con
Cr(acac)3 al 20% en mol sobre sustratos de Si (100). Las soluciones de los complejos
fueron depositadas sobre sustratos de Si y cuarzo, los cuales fueron irradiadas bajo luz UV
a 254 nm durante 24 horas por un periodo de diez días, para generar la formación de
películas de Ga2O3-Dy3+ y Ga2O3-Dy3+-Cr3+.
Los depósitos obtenidos mediante esta técnica, fueron caracterizados en su
composición por Espectroscopia de foto-electrónica de rayos X (XPS) y en su estructura
por Difracción de Rayos X (XRD).
Las propiedades ópticas y foto-luminiscentes (PL) de las películas formadas se
determinaron por espectroscopía UV-visible y por espectroscopía de fluorescencia
respectivamente.
