Pedagogía en Ciencias Naturales

A través de un método de deposición fotoquímica, se depositaron capas de complejos metálicos β-dicetonatos de Ga(acac)3 dopada con Dy(acac)3 y co-dopada con Cr(acac)3 al 20% en mol sobre sustratos de Si (100). Las soluciones de los complejos fueron depositadas sobre sustratos de Si y cuarzo, los cuales fueron irradiadas bajo luz UV a 254 nm durante 24 horas por un periodo de diez días, para generar la formación de películas de Ga2O3-Dy3+ y Ga2O3-Dy3+-Cr3+. Los depósitos obtenidos mediante esta técnica, fueron caracterizados en su composición por Espectroscopia de foto-electrónica de rayos X (XPS) y en su estructura por Difracción de Rayos X (XRD). Las propiedades ópticas y foto-luminiscentes (PL) de las películas formadas se determinaron por espectroscopía UV-visible y por espectroscopía de fluorescencia respectivamente.

A través de un método de deposición fotoquímica, se depositaron capas de complejos metálicos β-dicetonatos de Ga(acac)3 dopada con Tb(acac)3 y codopada con Mn(acac)2 al 10% en mol sobre sustratos de Si (100). Las soluciones de los complejos fueron depositadas sobre el sustrato y fueron irradiadas bajo luz UV a 254nm durante 24 horas por un periodo de seis días, para generar la formación de películas de Ga2O3-Tb y Ga2O3-Tb-Mn. El método de fotodeposición utilizado en este trabajo fue Photochemical Metal Organic Deposition (PMOD), el cual implica la formación de películas delgadas amorfas estables, para esto debe depositar un complejo metálico u organometalico sobre la superficie de un sustrato, mediante la técnica de sping-coating, para luego irradiar la muestra con luz UV y así obtener la perdida de los ligandos y generar la deposición del metal o del óxido metálico. Los depósitos obtenidos mediante esta técnica, fueron caracterizados en su composición por Espectroscopia de foto-electrónica de rayos X (XPS). Las propiedades ópticas y fotoluminiscentes (PL) de las películas formadas se determinaron por espectroscopía UV-visible y por espectroscopía de fluorescencia.

En esta investigación, complejos de Ga(acac)3, Tb(acac)3 y Eu(acac)3 se utilizaron como precursores para la deposición de películas delgadas de Ga2O3-Tb(III)-Eu(III). Para ello, los complejos β-dicetonatos fueron disueltos en diclorometano y posteriormente depositados sobre sustratos de ITO y cuarzo mediante la técnica spin coating. Posteriormente las películas fueron irradiadas bajo luz UV por 24 horas, para la formación de las películas de Ga2O3 co-dopadas. Los depósitos resultantes fueron tratados térmicamente a 500ºC durante 3 hrs, con el fin de obtener películas más cristalinas. Las películas obtenidas fueron caracterizadas por espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS) para determinar su composición. Las propiedades ópticas tales como transparencia y la determinación del band gap óptico fueron evaluadas por espectroscopía UV-visible. Finalmente se abordó las propiedades luminiscentes de los depósitos co-dopados bajo excitación a los 250 nm.

Mediante una metodología fotoquímica, PMOD (Deposición fotoquímica de metal orgánico), se foto-depositaron capas de complejos β-dicetonatos de Ga (III) sobre sustratos de Si (100) y cuarzo, mediante la técnica spin coating, la que permite obtener películas homogéneas y delgadas de Ga2O3 como material de base, y codopadas con Tb (III) y Cr (III). Las películas resultantes fueron caracterizadas por técnicas de análisis superficiales tales como XPS (espectroscopía Foto-electrónica de rayos X) y sus propiedades ópticas y luminiscentes fueron evaluadas mediante espectroscopía UV-visible y por espectroscopia de fluorescencia.

Mediante el método de deposición fotoquímica, se depositaron capas de un complejo metálico β-dicetonato de Zn sobre sustratos de Si (100). Para ello se utilizo la técnica de spin- coating, que consiste en la dispensión de soluciones del complejo, sobre el sustrato que se encuentra sobre un dispensador rotatorio que gira a 1500 rpm. Las que posteriormente fueron irradiadas bajo luz UV para generar la película del óxido metálico respectivo. El objetivo de este trabajo es la deposición de múltiples capas de ZnO sobre sustratos de Si (100) y estudiar su comportamiento fotoeléctrico. Los depósitos obtenidos por esta metodología, fueron caracterizadas en su composición mediante técnicas superficiales de análisis, tales como espectroscopia Foto-electrónica de rayos X (XPS) y en su morfología por microscopía de fuerza atómica (AFM). Finalmente se estudiaron las propiedades fotoconductoras de las películas depositadas.